一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备

专利摘要:
本实用新型公开的属于多晶硅技术领域，具体为一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，其技术方案是：包括反应炉，所述反应炉右端通过限位装置卡接炉盖，所述反应炉顶端连接抽气泵的输出端，所述反应炉前端通过接口连接送气装置，所述接口右端设有隔热装置，所述炉盖内壁焊接金属密封圈，所述第一金属密封圈内部套接弹簧，所述限位装置设置在所述炉盖的内部，所述限位装置包括限位轴杆，本实用新型的有益效果是：达到增加反应炉的密封性，防止气体泄漏，导致反应炉内方阻均匀，影响多晶硅扩散生成的效果，且达到增加扩散的均匀性，且保证炉内方阻均匀的效果。
公开号:CN214336729U
申请号:CN202120000375.3U
申请日:2021-01-02
公开日:2021-10-01
发明作者:王泉龙；李琪；孙珠珠；周国栋
申请人:Jiangsu Zhongyu Photovoltaic Technology Co ltd；
IPC主号:H01L31-18

专利说明:
[n0001] 本实用新型涉及多晶硅领域，具体涉及一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备。
[n0002] 多晶硅，是单质硅的一种形态；熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。
[n0003] 多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面；例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性；在化学活性方面，两者的差异极小；多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等；多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。
[n0004] 现有技术存在以下不足：现有的多晶硅扩散高方阻工艺是通过在扩散炉内高温反应，再通过向炉内释放反应气体，使炉内的方阻均匀，但是现有的扩散生成设备密封性不强，导致气体易泄漏，无法保证炉内的方阻均匀，且密封结构在高温状态下易损坏，需要频繁维修。
[n0005] 因此，发明一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备很有必要。
[n0006] 为此，本实用新型提供一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，通过拉动活动杆，使活动杆上端的抓取杆在限位轴杆外壁向上转动，从而使抓取杆卡接在限位块的内部右端，再通过炉盖内壁焊接第一金属密封圈，使第一金属密封圈套接在密封槽的内部，以解决导致气体易泄漏，且需要频繁维修的问题。
[n0007] 为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，包括反应炉，所述反应炉右端通过限位装置卡接炉盖，所述反应炉顶端连接抽气泵的输出端，所述反应炉前端通过接口连接送气装置，所述接口右端设有隔热装置；所述炉盖内壁焊接金属密封圈，所述第一金属密封圈内部套接弹簧；所述限位装置设置在所述炉盖的内部，所述限位装置包括限位轴杆，所述限位轴杆设置在所述炉盖的内部两端，所述限位轴杆外壁套接活动杆，所述活动杆上端设有抓取杆，所述抓取杆卡接在所述反应炉的内部右端；所述隔热装置卡接在所述反应炉的内部，所述隔热装置包括栅形隔热板，所述栅形隔热板卡接在所述反应炉的内部，所述栅形隔热板左端设有所述接口。
[n0008] 优选的，所述反应炉底端焊接底座，所述反应炉外壁左端设有抽气阀，所述反应炉内部右端设有弧形槽，所述弧形槽内部焊接限位块，所述反应炉右端侧面设有密封槽。
[n0009] 优选的，所述限位块外壁卡接抓取杆，所述密封槽内部套接第一金属密封圈。
[n0010] 优选的，所述送气装置包括送气罐，所述送气罐通过所述接口连接所述反应炉，所述送气罐套接在支架内部，所述送气罐右端连接金属管，所述金属管外壁上端设有送气阀，所述金属管螺纹连接所述接口。
[n0011] 优选的，所述接口右端套接第二金属密封圈。
[n0012] 优选的，所述隔热装置还包括蜂窝型隔热板，所述蜂窝型隔热板卡接在所述反应炉的内部。
[n0013] 与现有技术相比，该多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备的优点：
[n0014] 本实用新型通过反应炉底端焊接底座，起到固定的作用，达到防止反应炉掉落的效果；
[n0015] 当需要关闭炉盖时，通过拉动活动杆，使活动杆上端的抓取杆在限位轴杆外壁向上转动，从而使抓取杆卡接在限位块的内部右端，起到固定的作用，达到使炉盖紧密贴合反应炉，防止气体泄漏的效果；
[n0016] 再通过炉盖内壁焊接第一金属密封圈，使第一金属密封圈套接在密封槽的内部，在限位装置的作用下，使第一金属密封圈与密封槽紧密贴合，达到增加反应炉的密封性，防止气体泄漏，导致反应炉内方阻均匀，影响多晶硅扩散生成的效果；
[n0017] 通过第一金属密封圈由合金材料制成，从而达到增加耐用度，防止频繁维修密封结构的效果；
[n0018] 通过第一金属密封圈内部套接弹簧，从而达到增加第一金属密封圈的贴合性，密封性更强的效果；
[n0019] 当进行扩散生成多晶硅时，先通过抽气泵将反应炉内部的空气抽干，使反应炉内保持低压的状态，再通过对多晶硅进行高温加热，通过送气装置通入反应气体，进行生成反应，使反应炉内保持方阻均匀，最后通过抽气阀将炉内反应气体抽走，从而完成扩散反应，从而达到增加扩散的均匀性，且保证炉内方阻均匀的效果；
[n0020] 当输送反应气体时，通过打开送气阀，使反应气体通过金属管进入反应炉内，起到输送的作用，达到增加管道的耐用性，防止金属管被高温熔化的效果；
[n0021] 通过接口内部右端焊接第二金属密封圈，起到密封的作用，达到防止气体泄漏，且防止第二金属密封圈被熔化损坏的效果；
[n0022] 通过栅形隔热板卡接在反应炉的内部，栅形隔热板表面设有格栅孔，再通过栅形隔热板左端设有接口，起到隔热的作用，达到方便反应气体进入反应炉内部的同时，还对接口进行隔热保护，防止接口被高温熔化损坏的效果。
[n0023] 图1为本实用新型提供的实施例1的整体结构示意图；
[n0024] 图2为本实用新型提供的实施例1的整体右视结构示意图；
[n0025] 图3为本实用新型提供的实施例1的接口结构示意图；
[n0026] 图4为本实用新型提供的实施例1的炉盖左视结构示意图；
[n0027] 图5为本实用新型提供的实施例1的金属密封圈结构示意图；
[n0028] 图6为本实用新型提供图1中的实施例1A区域的放大图；
[n0029] 图7为本实用新型提供的实施例1的隔热装置结构示意图；
[n0030] 图8为本实用新型提供的实施例2的隔热装置结构示意图。
[n0031] 图中：反应炉1、底座11、抽气阀12、弧形槽13、限位块14、密封槽15、炉盖2、第一金属密封圈21、弹簧211、限位装置3、限位轴杆31、活动杆32、抓取杆33、抽气泵4、送气装置5、送气罐51、支架52、金属管53、送气阀54、接口6、第二金属密封圈61、隔热装置7、栅形隔热板71、蜂窝型隔热板72。
[n0032] 以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[n0033] 实施例1，参照附图1-图7，本实用新型提供的一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，包括反应炉1、炉盖2、限位装置3、抽气泵4、送气装置5、接口6和隔热装置7；
[n0034] 进一步地，反应炉1右端卡接炉盖2，反应炉1包括底座11、抽气阀12、弧形槽13、限位块14和密封槽15，具体的，反应炉1底端焊接底座11，反应炉1外壁左端设有抽气阀12，反应炉1内部右端设有弧形槽13，弧形槽13内部焊接限位块14，反应炉1右端侧面设有密封槽15，抽气泵4型号为JP-40V，抽气泵4是指具备一进一出的抽气嘴、排气嘴各一个，并且在进口处能够持续形成真空或负压，排气嘴处形成微正压，通过反应炉1底端焊接底座11，起到固定的作用，达到防止反应炉1掉落的效果，通过反应炉1内部右端设有弧形槽13，弧形槽13内部焊接限位块14，再通过限位轴杆31设置在炉盖2的内部两端，限位轴杆31外壁套接活动杆32，当需要关闭炉盖2时，通过拉动活动杆32，使活动杆32上端的抓取杆33在限位轴杆31外壁向上转动，从而使抓取杆33卡接在限位块14的内部右端，起到固定的作用，达到使炉盖2紧密贴合反应炉1，防止气体泄漏的效果，再通过炉盖2内壁焊接第一金属密封圈21，使第一金属密封圈21套接在密封槽15的内部，在限位装置3的作用下，使第一金属密封圈21与密封槽15紧密贴合，达到增加反应炉1的密封性，防止气体泄漏，导致反应炉1内方阻均匀，影响多晶硅扩散生成的效果，通过第一金属密封圈2由合金材料制成，从而达到增加耐用度，防止频繁维修密封结构的效果，通过第一金属密封圈21内部套接弹簧211，从而达到增加第一金属密封圈21的贴合性，密封性更强的效果，当进行扩散生成多晶硅时，先通过抽气泵4将反应炉1内部的空气抽干，使反应炉1内保持低压的状态，再通过对多晶硅进行高温加热，通过送气装置5通入反应气体，进行生成反应，使反应炉1内保持方阻均匀，最后通过抽气阀12将炉内反应气体抽走，从而完成扩散反应，从而达到增加扩散的均匀性，且保证炉内方阻均匀的效果；
[n0035] 进一步地，送气装置5通过接口6连接反应炉1，送气装置5包括送气罐51、支架52、金属管53和送气阀54，具体的，送气罐51通过接口6连接反应炉1，送气罐51套接在支架52内部，送气罐51右端连接金属管53，金属管53外壁上端设有送气阀54，金属管53螺纹连接接口6，通过送气罐51套接在支架52内部，起到固定作用，防止送气罐51倾斜或移动的效果，通过送气罐51右端连接金属管53，金属管53外壁上端设有送气阀54，当输送反应气体时，通过打开送气阀54，使反应气体通过金属管53进入反应炉1内，起到输送的作用，达到增加管道的耐用性，防止金属管53被高温熔化的效果，通过金属管53螺纹连接在接口6的内部左端，起到固定作用，达到防止金属管53在输送时脱落的效果，通过接口6内部右端焊接第二金属密封圈61，起到密封的作用，达到防止气体泄漏，且防止第二金属密封圈61被熔化损坏的效果；
[n0036] 进一步地，隔热装置7卡接在反应炉1的内部，隔热装置7包括栅形隔热板71，具体的，栅形隔热板71卡接在反应炉1的内部，栅形隔热板71左端设有接口6，栅形隔热板71材质为纳米孔超级绝热材料，纳米孔超级绝热材料是利用纳米孔材料解决对流传热的问题，使对流传热降最低，依最小的材料粒径将热传导系数控制到极限再增加结合剂，从而使材料达到比空气导热系数还小的纳米超级绝热材料，通过栅形隔热板71卡接在反应炉1的内部，栅形隔热板71表面设有格栅孔，再通过栅形隔热板71左端设有接口6，起到隔热的作用，达到方便反应气体进入反应炉1内部的同时，还对接口6进行隔热保护，防止接口6被高温熔化损坏的效果。
[n0037] 本实用新型的使用过程如下：本领域技术人员通过反应炉1底端焊接底座11，起到固定的作用，达到防止反应炉1掉落的效果，当需要关闭炉盖2时，通过拉动活动杆32，使活动杆32上端的抓取杆33在限位轴杆31外壁向上转动，从而使抓取杆33卡接在限位块14的内部右端，起到固定的作用，达到使炉盖2紧密贴合反应炉1，防止气体泄漏的效果，再通过炉盖2内壁焊接第一金属密封圈21，使第一金属密封圈21套接在密封槽15的内部，在限位装置3的作用下，使第一金属密封圈21与密封槽15紧密贴合，达到增加反应炉1的密封性，防止气体泄漏，导致反应炉1内方阻均匀，影响多晶硅扩散生成的效果，通过第一金属密封圈2由合金材料制成，从而达到增加耐用度，防止频繁维修密封结构的效果，通过第一金属密封圈21内部套接弹簧211，从而达到增加第一金属密封圈21的贴合性，密封性更强的效果，当进行扩散生成多晶硅时，先通过抽气泵4将反应炉1内部的空气抽干，使反应炉1内保持低压的状态，再通过对多晶硅进行高温加热，通过送气装置5通入反应气体，进行生成反应，使反应炉1内保持方阻均匀，最后通过抽气阀12将炉内反应气体抽走，从而完成扩散反应，从而达到增加扩散的均匀性，且保证炉内方阻均匀的效果，通过送气罐51套接在支架52内部，起到固定作用，防止送气罐51倾斜或移动的效果，通过送气罐51右端连接金属管53，金属管53外壁上端设有送气阀54，当输送反应气体时，通过打开送气阀54，使反应气体通过金属管53进入反应炉1内，起到输送的作用，达到增加管道的耐用性，防止金属管53被高温熔化的效果，通过金属管53螺纹连接在接口6的内部左端，起到固定作用，达到防止金属管53在输送时脱落的效果，通过接口6内部右端焊接第二金属密封圈61，起到密封的作用，达到防止气体泄漏，且防止第二金属密封圈61被熔化损坏的效果，通过栅形隔热板71卡接在反应炉1的内部，栅形隔热板71表面设有格栅孔，再通过栅形隔热板71左端设有接口6，起到隔热的作用，达到方便反应气体进入反应炉1内部的同时，还对接口6进行隔热保护，防止接口6被高温熔化损坏的效果。
[n0038] 实施例2，参照附图8，本实用新型提供的一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，包括隔热装置7；
[n0039] 进一步地，隔热装置7卡接在反应炉1的内部，隔热装置7包括蜂窝型隔热板72，具体的，蜂窝型隔热板72卡接在反应炉1的内部，蜂窝型隔热板72左端设有接口6，蜂窝型隔热板72材质为纳米孔超级绝热材料，纳米孔超级绝热材料是利用纳米孔材料解决对流传热的问题，使对流传热降最低，依最小的材料粒径将热传导系数控制到极限再增加结合剂，从而使材料达到比空气导热系数还小的纳米超级绝热材料，通过蜂窝型隔热板72卡接在反应炉1的内部，蜂窝型隔热板72表面设有蜂窝孔，再通过蜂窝型隔热板72左端设有接口6，起到隔热的作用，达到方便反应气体进入反应炉1内部的同时，还对接口6进行隔热保护，防止接口6被高温熔化损坏的效果。
[n0040] 本实用新型的使用过程如下：本领域技术人员通过反应炉1底端焊接底座11，起到固定的作用，达到防止反应炉1掉落的效果，当需要关闭炉盖2时，通过拉动活动杆32，使活动杆32上端的抓取杆33在限位轴杆31外壁向上转动，从而使抓取杆33卡接在限位块14的内部右端，起到固定的作用，达到使炉盖2紧密贴合反应炉1，防止气体泄漏的效果，再通过炉盖2内壁焊接第一金属密封圈21，使第一金属密封圈21套接在密封槽15的内部，在限位装置3的作用下，使第一金属密封圈21与密封槽15紧密贴合，达到增加反应炉1的密封性，防止气体泄漏，导致反应炉1内方阻均匀，影响多晶硅扩散生成的效果，通过第一金属密封圈2由合金材料制成，从而达到增加耐用度，防止频繁维修密封结构的效果，通过第一金属密封圈21内部套接弹簧211，从而达到增加第一金属密封圈21的贴合性，密封性更强的效果，当进行扩散生成多晶硅时，先通过抽气泵4将反应炉1内部的空气抽干，使反应炉1内保持低压的状态，再通过对多晶硅进行高温加热，通过送气装置5通入反应气体，进行生成反应，使反应炉1内保持方阻均匀，最后通过抽气阀12将炉内反应气体抽走，从而完成扩散反应，从而达到增加扩散的均匀性，且保证炉内方阻均匀的效果，通过送气罐51套接在支架52内部，起到固定作用，防止送气罐51倾斜或移动的效果，通过送气罐51右端连接金属管53，金属管53外壁上端设有送气阀54，当输送反应气体时，通过打开送气阀54，使反应气体通过金属管53进入反应炉1内，起到输送的作用，达到增加管道的耐用性，防止金属管53被高温熔化的效果，通过金属管53螺纹连接在接口6的内部左端，起到固定作用，达到防止金属管53在输送时脱落的效果，通过接口6内部右端焊接第二金属密封圈61，起到密封的作用，达到防止气体泄漏，且防止第二金属密封圈61被熔化损坏的效果，反应炉1底端焊接底座11，起到固定的作用，达到防止反应炉1掉落的效果，当需要关闭炉盖2时，通过拉动活动杆32，使活动杆32上端的抓取杆33在限位轴杆31外壁向上转动，从而使抓取杆33卡接在限位块14的内部右端，起到固定的作用，达到使炉盖2紧密贴合反应炉1，防止气体泄漏的效果，再通过炉盖2内壁焊接第一金属密封圈21，使第一金属密封圈21套接在密封槽15的内部，在限位装置3的作用下，使第一金属密封圈21与密封槽15紧密贴合，达到增加反应炉1的密封性，防止气体泄漏，导致反应炉1内方阻均匀，影响多晶硅扩散生成的效果，通过第一金属密封圈2由合金材料制成，从而达到增加耐用度，防止频繁维修密封结构的效果，通过第一金属密封圈21内部套接弹簧211，从而达到增加第一金属密封圈21的贴合性，密封性更强的效果，当进行扩散生成多晶硅时，先通过抽气泵4将反应炉1内部的空气抽干，使反应炉1内保持低压的状态，再通过对多晶硅进行高温加热，通过送气装置5通入反应气体，进行生成反应，使反应炉1内保持方阻均匀，最后通过抽气阀12将炉内反应气体抽走，从而完成扩散反应，从而达到增加扩散的均匀性，且保证炉内方阻均匀的效果，通过送气罐51套接在支架52内部，起到固定作用，防止送气罐51倾斜或移动的效果，通过送气罐51右端连接金属管53，金属管53外壁上端设有送气阀54，当输送反应气体时，通过打开送气阀54，使反应气体通过金属管53进入反应炉1内，起到输送的作用，达到增加管道的耐用性，防止金属管53被高温熔化的效果，通过金属管53螺纹连接在接口6的内部左端，起到固定作用，达到防止金属管53在输送时脱落的效果，通过接口6内部右端焊接第二金属密封圈61，起到密封的作用，达到防止气体泄漏，且防止第二金属密封圈61被熔化损坏的效果。
[n0041] 以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，任何熟悉本领域的技术人员均可能利用上述阐述的技术方案对本实用新型加以修改或将其修改为等同的技术方案。因此，依据本实用新型的技术方案所进行的任何简单修改或等同置换，尽属于本实用新型要求保护的范围。

权利要求:
Claims (6)
[0001] 1.一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，包括反应炉（1），其特征在于：所述反应炉（1）右端通过限位装置（3）卡接炉盖（2），所述反应炉（1）顶端连接抽气泵（4）的输出端，所述反应炉（1）前端通过接口（6）连接送气装置（5），所述接口（6）右端设有隔热装置（7）；所述炉盖（2）内壁焊接第一金属密封圈（21），所述第一金属密封圈（21）内部套接弹簧（211）；所述限位装置（3）设置在所述炉盖（2）的内部，所述限位装置（3）包括限位轴杆（31），所述限位轴杆（31）设置在所述炉盖（2）的内部两端，所述限位轴杆（31）外壁套接活动杆（32），所述活动杆（32）上端设有抓取杆（33），所述抓取杆（33）卡接在所述反应炉（1）的内部右端；所述隔热装置（7）卡接在所述反应炉（1）的内部，所述隔热装置（7）包括栅形隔热板（71），所述栅形隔热板（71）卡接在所述反应炉（1）的内部，所述栅形隔热板（71）左端设有所述接口（6）。
[0002] 2.根据权利要求1所述的一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，其特征在于：所述反应炉（1）底端焊接底座（11），所述反应炉（1）外壁左端设有抽气阀（12），所述反应炉（1）内部右端设有弧形槽（13），所述弧形槽（13）内部焊接限位块（14），所述反应炉（1）右端侧面设有密封槽（15）。
[0003] 3.根据权利要求2所述的一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，其特征在于：所述限位块（14）外壁卡接抓取杆（33），所述密封槽（15）内部套接第一金属密封圈（21）。
[0004] 4.根据权利要求1所述的一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，其特征在于：所述送气装置（5）包括送气罐（51），所述送气罐（51）通过所述接口（6）连接所述反应炉（1），所述送气罐（51）套接在支架（52）内部，所述送气罐（51）右端连接金属管（53），所述金属管（53）外壁上端设有送气阀（54），所述金属管（53）螺纹连接所述接口（6）。
[0005] 5.根据权利要求1所述的一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，其特征在于：所述接口（6）右端套接第二金属密封圈（61）。
[0006] 6.根据权利要求1所述的一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备，其特征在于：所述隔热装置（7）还包括蜂窝型隔热板（72），所述蜂窝型隔热板（72）卡接在所述反应炉（1）的内部。

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同族专利:

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公开号 | 公开日

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引用文献:

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公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

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法律状态:
2021-10-01| GR01| Patent grant|

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2021-10-01| GR01| Patent grant|

优先权:

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申请号 | 申请日 | 专利标题

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CN202120000375.3U|CN214336729U|2021-01-02|2021-01-02|一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备|CN202120000375.3U| CN214336729U|2021-01-02|2021-01-02|一种多晶硅扩散高方阻工艺的扩散生成设备|